TriQuint新增用于无线基站的35个LDMOS RF功率管

　　中国 深圳、美国 俄勒冈、HILLSBORO – 2008年3月3日 –全球领先的RF半导体制造商及代工服务提供商TriQuint半导体公司（Nasdaq：TQNT），今天宣布其广泛的基于LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) 技术的RF功率管产品，现在可以在全球及设在中国深圳和上海的办事处及安富利电子亚太销售网络获得。这些丰富的器件产品为制造商的功率放大器设计提供高性能、具成本竞争力的解决方案。

　　TriQuint新的RF功率管产品线包括之前由Peak Device公司销售的产品，这家位于美国科罗拉多州的公司已被 TriQuint半导体公司于2007年8月收购。Peak Device公司强大的LDMOS功率管产品线补充了TriQuint公司包括晶体管、放大器、开关及滤波器在内的产品线家族，广泛应用于无线手持设备与RF网络通信应用，并已在中国全面销售。

　　“我们很高兴能够扩充我们的产品，并提供给中国的制造商，”TriQuint公司亚洲区销售总监Richard Lin（林伟仪）先生说，“通过应用LDMOS技术，新器件将TriQuint产品所覆盖的频率从865MHz 增加到了2.7GHz ， RF输出功率从30瓦增加到 180 瓦。 通过我们在深圳和上海的办事处及代理商安富利电子（亚洲），制造商目前已经可以选择我们提供的各种多样化RF产品组合，满足其对RF、 功率、滤波器和开关的设计需求。”

　　中国无线通信网络的成长速度连续创造记录，中国目前拥有的移动电话用户数量比大多数国家的人口还要多(2007年达3亿3千万人并且仍在迅速增长)。 政府对国外厂商进入通讯市场持鼓励态度，而这将进一步刺激该产业的增长。根据iSuppli调研公司的预测，中国的3G增值服务市场将于2011年增长到195亿美元。TriQuint公司最新发布的产品组合将满足这一市场对无线通信基站和MMDS (Multichannel Multipoint Distribution Service)应用的需求，为制造商提供本地化的、可靠的器件来源，以支持中国电信业的持续性发展。

　　归因于高线性、高增益和高功效的特性，且结合了多次产品换代所带来的成本节约效应，在RF系统的信号放大的应用中，基于硅 LDMOS的RF功率管一直很受用户的欢迎。这次发布的新产品对TriQuint公司已在中国销售的砷化镓(GaAs) 晶体管、放大器和开关以及声表面波与体声波 (SAW / BAW)滤波器产品形成了很好的补充。

　　“消费者目前有更多的选择：有成本效益的、高性能的LDMOS加之高效率、高线性GaAs器件的优势，能够使RF工程师围绕消费者的需求简化产品设计”， 林先生说。

供货情况
　　这种新的LDMOS产品线目前在中国及全世界通过TriQuint公司销售机构或代理商销售网络可以买到。索取 TriQuint RF产品明细表，请访问或 ，在 登记索取新产品详细资料。联系安富利电子（亚洲）请访问:  。

关于TriQuint公司
　　TriQuint公司成立于1985年，公司为全球领先的通讯公司提供高性能RF模组、器件和代工厂制造服务，将全球网络和数字世界连接在一起。值得一提的是，TriQuint公司不仅为全球五大移动手机设备制造商中的四大公司提供产品，同时也是全球主要国防、航天设备合同制造商的砷化镓器件供应商。TriQuint公司采用先进的工艺制造技术，如砷化镓、表面声波（SAW）和体声波（BAW）技术，为无线手持设备、基站、宽带通讯和军事领域提供标准和定制化的产品。在一项为期3年、旨在发展氮化镓放大器技术的DARPA项目中，TriQuint公司是其中拥有领导地位的研究者之一。2007年8月，TriQuint公司被Strategy Analytics调研机构评为“全球第三位的砷化镓器件供应商”、“全球最大的商业化砷化镓代工厂”。TriQuint公司在俄勒冈、得克萨斯、佛罗里达拥有通过ISO9001认证的制造设备，在哥斯达黎加拥有一家制造工厂，在北美、德国设有研发中心。