Vishay推出IGBT/MOSFET驱动器VO3120/50A

2009年06月15日

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款新型IGBT和MOSFET驱动器，丰富了其已有的光耦产品线。此次发布的VO3120和VO3150A的输出电流分别为2.5A和0.5A，具有最宽的工作电压和很高的环境工作温度，其低功耗特性能够实现更好的热管理，以及在马达驱动、电磁炉、电源和其他高电压应用中实现更灵活的设计。

VO3120和VO3150A都带有一个与集成电路光学耦合的LED，功率输出级的操作电压范围是15V～32V，输出电流分别可达2.5A和0.5A。新器件的电压和电流使其适合直接驱动电压等级为800V的IGBT，VO3120可驱动电流为50A的IGBT，VO3150A可驱动电流为20A的IGBT。驱动器的操作电压最高可达32V，是目前业界最高的，这样VO3120和VO3150A可以驱动通常需要双面电源的更大模块，让设计者在挑选功率器件时有更大的选择余地。

两款驱动器的最高环境工作温度可达+110℃，设计者可以把驱动器放置在更靠近IGBT的位置，抑或使用更小的散热器，从而简化热管理。2.5A的低功耗也有助于减小功率和散热。Vishay提供的热模型可帮助设计者进行热仿真。

VO3120和VO3150A均提供无铅、符合RoHS指令的DIP-8和SMD-8封装。这两款器件现可提供样品，将于2009年6月正式量产，大宗订货的供货周期为四至六周。

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