罗姆(ROHM)半导体集团是全球最知名的半导体厂商之一。ROHM IGBT产品利用ROHM特有的沟槽栅、薄晶圆技术实现了低VCE(sat)、低开关损耗等特性。目前有第二代和第三代产品，第三代IGBT整体损耗更低，效率更高，元器件温度更低。涵盖650V/1200V、4A-50A多个规格，主流封装，有车规级(AEC-Q101)产品。大量应用于车载压缩机，电机市场，电源市场，空调冰箱等。

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　　主要产品及应用

　　第三代650V耐压IGBT：兼备低传导损耗和高速开关特性。

　　这些产品非常适用于UPS(不间断电源)、焊接机及功率控制板工业设备、空调、IH(感应加热)等消费电子产品的通用变频器及转换器的功率转换。

罗姆半导体穿通型IGBT技术演化

　　650V IGBT RGTV和RGW产品系列

　　· 用于快速开关的RGTV系列，其短路耐受时间(SCWT)为2 μs;

　　· 用于更快速开关的RGW系列，主要针对SCWT不做要求的应用

　　RGTV和RGW产品系列特点：

　　1.实现业界顶级的低传导损耗和高速开关性能

　　在本新系列产品中，利用薄晶圆技术使晶圆厚度比以往产品再薄15%，另外采用ROHM独创的单元微细化结构，成功实现业界顶级的低导通损耗(VCE(sat)=1.5V)和高速开关特性(tf=30～40ns)。

　　2.实现软开关，减轻设备的设计负担

　　通过元器件内部优化，实现了ON/OFF顺畅切换的软开关。由此，开关时产生的电压过冲与普通产品相比减少了50%，可减少用来抑制过冲的外置栅极电阻和缓冲电路等部件数量。使用IGBT时，应用端不再需要以往需要的过冲对策，有利于减轻设计负担。

　　完整产品系列如下表所示，罗姆IGBT型号的前部分为TC=100 °C时额定电流的两倍。对于当前所有类别中有两种芯片配置方式，即IGBT芯片单独封装或与快速恢复二极管(FRD)共同封装。在RGTV系列中，FRD与IGBT具有相同的额定电流。RGW系列中的FRD的额定电流比IGBT的低，其FRD的额定电流如表中的括号内所示。这些器件的额定电流在TC=100 °C的情况下从30 A到80 A，并采用TO-247N(非隔离型)和TO-3PFM(隔离型)等封装中，具体如下表所示：

　　1200V耐压IGBT：汽车级(AEC-Q101)、短路耐受时间为10μsec(Tj=25℃)

　　“RGS系列”产品

　　RGS系列产品实现了业界领先的低传导损耗(Vce(sat.))，达到业界领先水平，非常适用于电动压缩机的逆变器电路和PTC加热器的开关电路，非常有助于应用的小型化与高效化。

　　此外，1200V耐压产品的短路耐受时间为10μsec(Tj=25℃)，即使在要求高可靠性的车载领域也可放心使用。

　　RGS系列产品特点：

　　1. 业界领先的低传导损耗

　　通过优化器件结构，在1200V耐压级别将传导损耗(VCE(sat.))降至1.70V(typ Tj=25℃)，与其他公司同等产品(1200V、40A产品)相比，传导损耗改善了约10～15%。

　　尤其是在电动压缩机和PTC加热器中，由于驱动频率较低，故对传导损耗的重视程度高于开关特性，RGS系列的出色表现已经获得客户的高度好评。

　　2. 产品阵容丰富，满足客户多样化需求

　　此次推出的四款1200V耐压产品，加上量产中的650V耐压产品，共11种机型。产品阵容中包括IGBT单品和续流二极管)内置型两种类型的产品，客户可根据需求自由选用。